خانه > علمی > روش های پلاسما(فرآیندهای پلاسمایی) در سنتز نانو ساختارها

روش های پلاسما(فرآیندهای پلاسمایی) در سنتز نانو ساختارها

روش های پلاسما(فرآیند های پلاسمایی)

-PECVD :این فرآیند از پلاسما برای بالا بردن آهنگ واكنش شیمیایی مواد اولیه استفاده می كند.PECVD اجازه می دهد كه لایه نشانی در دماهای پایین تر انجام شود. به همین دلیل است كه برای نشاندن فیلم نازك بر روی فلزات و سایر موادی كه نمی توانند دماهای بالا (یعنی دماهای بالاتر از 300 درجه سلیوس) را تحمل كنند از این فرآیند استفاده می شود. نیمه رساناها از جمله موادی هستند كه در تولید آنان از روشPECVDاستفاده می شود. از روش اسپاترینگ پلاسمایی القاییRFنیز می توان برای پلاسما استفاده كرد. ممكن است پلاسما به وسیله تخلیه DCبین دو الكترودی كه فضای میا ن آنان از گاز پر شده نیز تولید شود. فرآیندPECVDبه یك سطح واكنش گر محدود است. همچنین كنترل دمای زیر لایه كه معمولا به وسیله سیستم خنك كننده صورت می گیرد، حائز اهمیت است تا از یكنواختی و یكپارچگی آن اطمینان حاصل گردد.

-RPECVD :این روش خیلی شبیه به فرآیندPECVDاست؛ ولی وجه تمایز آن در این است كه در این روش زیر لایه مستقیما در ناحیه تخلیه پلاسما قرار ندارد. این عمل با انتقال دادن زیر لایه از ناحیه پلاسما اجازه می دهد كه دماهای مورد نیاز به دمای اتاق كاهش پیدا كنند. -ALCVD: این گونه لایه نشانی برای كار بر روی زیر لایه های گوناگون و تولید لایه های كریستالی و چند لایه ای مناسب است.(ALCVD=Atomic Layer CVD) -HWCVD: این روش كه به آنCat-CVDكاتالیستی یا CVDفیلامان داغ(HFCVD) نیز گفته می شود، از یك فیلامان داغ برای تجزیه شیمیایی گازهای منبع استفاده می كند.

-MOCVD: همان لایه نشانی بخار شیمیایی آلی-فلزی مبتنی بر مواد اولیه آلی-فلزی است. امروزه این روش تبدیل به یك فناوری شگرف در زمینه تولید قطعات الكترونیكی و اپتوالكترونیكی با كارآیی بالا گردیده است. این روش كلید ساخت و ارتقای تركیبات نیمه رسانا، مواد چند تركیبی خاص، از جمله فروالكتریك ها، دی الكتریك ها، نیمه هادی های سیلیكون-ژرمانیوم ، سیلیكون كاربید و نیمه هادی های آلی به شمار می آید. پیشرفت MOCVD و همسویی آن با جریان رو به توسعه فناوری نانو سبب گردیده كه این روش از قابلیت های بسیار زیادی در زمینه تولید قطعات LED، پردازشگرهای سریع، ذخیره كننده های اطلاعاتی دارای چگالی های بالا، سلول های نوری با راندمان بالا، ترانزیستورهای سریع و قطعات الكتریكی به مقاومت گرمایی بالا برخوردار باشد.
MOCVD=Metal Organic CVD)

RTCVD: این دسته از فرآیندهای CVD از یك سری لامپ های حرارتی یا سایر روش ها برای حرارت دادن سریع به زیر لایه ویفر استفاده می كنند. حرارت دادن زیر لایه به جای گاز یا دیواره های محفظه، به كاهش واكنش های ناخواسته فاز گاز كه منجر به شكل گیری ذره می شوند كمك می كند. ولی با این وجود در هیچ زمانی نمی توان ادعا كرد كه كلیه روش های لایه گذاری- چه به روش های شیمیایی و چه به روش های فیزیكی- در یك مبحث این چنینی تشریح و بررسی گردیده اند. روش ها همواره در حال پیشرفت و افزایش هستند و هر روز یك سری روش های جدید تر كه حاصل تجربه و آزمون است ایجاد می گردند.

Advertisements
  1. هنوز دیدگاهی داده نشده است.
  1. No trackbacks yet.

پاسخی بگذارید

در پایین مشخصات خود را پر کنید یا برای ورود روی شمایل‌ها کلیک نمایید:

نشان‌وارهٔ وردپرس.کام

شما در حال بیان دیدگاه با حساب کاربری WordPress.com خود هستید. بیرون رفتن /  تغییر دادن )

عکس گوگل

شما در حال بیان دیدگاه با حساب کاربری Google خود هستید. بیرون رفتن /  تغییر دادن )

تصویر توییتر

شما در حال بیان دیدگاه با حساب کاربری Twitter خود هستید. بیرون رفتن /  تغییر دادن )

عکس فیسبوک

شما در حال بیان دیدگاه با حساب کاربری Facebook خود هستید. بیرون رفتن /  تغییر دادن )

درحال اتصال به %s

%d وب‌نوشت‌نویس این را دوست دارند: